半导体湿法清洗常用词汇汇总

对于半导体人来说，因为日积累月的经验后经常会使用更专业的词汇。但是对于一些新手，或者刚入手的童鞋来说，非常陌生甚至不熟悉。那么，今天这一份半导体湿法清洗常用词汇相信可以帮助大家。

以下是一些半导体湿法清洗常用词汇：

RCA清洗：由美国无线电公司（RCA）提出的工业标准湿法清洗工艺，包括SC-1（NH4OH/H2O2/H2O）和SC-2（HCl/H2O2/H2O）两种溶液。

去离子水（DI Water）：在半导体制造中用于预清洗和终清洗，去除大部分杂质和溶解性污染物。

酸性清洗剂：如盐酸、硫酸、氢氟酸等，用于去除金属离子和氧化物。

碱性清洗剂：如氨水溶液，用于去除有机残留物和一些特定的污染物。

蚀刻剂：利用化学溶液对特定材料进行腐蚀的试剂，常见的有磷酸（H3PO4）、硝酸（HNO3）、氢氟酸（HF）、BOE（氢氟酸和氟化铵的混合物）等。

剥离剂：用于去除光刻胶或其他掩膜材料的试剂，常用的有丙酮、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基亚砜（DMSO）等。

兆声波清洗：利用高频声波（通常为0.5-3MHz）在液体中产生空化效应，从而增强清洗效果的一种清洗方式。

单晶圆清洗：一种降低交叉污染风险、提高产品良率并降低成本的清洗方法，主要步骤是在室温下重复使用DI-O3/DHF清洗液。

滚轮清洗：通过机械滚轮与晶圆表面的接触，去除颗粒等污染物的方法。

毛刷清洗：使用柔软的毛刷轻轻刷洗晶圆表面，以去除顽固的颗粒或有机物。

喷嘴清洗：通过高压喷射清洗液到晶圆表面，去除污染物的方法。

化学机械抛光后清洗：在化学机械抛光（CMP）之后进行的清洗过程，目的是去除抛光过程中产生的残留物和污染物。