槽式清洗硅片转速多少合适

看着半导体清洗机，大家一定会觉得简单。毕竟操作有说明书，培训等等，但是为什么还是有的时候会差强人意呢?因为细节，你对于细节忽视，就是你无法达到效果的一个表现。那么，对于细节来说，我们得认真研究仔细学习。今天就来给大家分享一个小的细节，就是关于槽式清洗硅片转速的问题。你知道这最佳的答案是什么吗？

虽然通常意义上说，槽式清洗硅片时，转速的选择取决于多个因素，包括清洗方式、化学品种类、晶圆尺寸以及清洗的具体目标等。

但是我们还是给大家找来了一些常见的转速范围及其适用情况，希望分享给有需要的你。

低速旋转

范围：通常在100-300 RPM之间。

适用场景：在润湿步骤中，液体从喷嘴喷出，此时盘片以相对较低的速度旋转，有助于液体均匀地分布在晶圆表面，并渗透到微小的特征中。这种低速旋转可以确保清洗液与晶圆表面充分接触，达到较好的清洗效果，同时避免因转速过高而对晶圆造成不必要的冲击和损伤。

高速旋转

范围：一般在1000-2000 RPM之间。

适用场景：在干燥步骤中，为了去除晶圆表面的液体，需要增加转速至1000-2000 RPM，并通过N₂气体吹扫来加速干燥过程。较高的转速可以使晶圆表面的液体在离心力的作用下迅速甩出，加快干燥速度，提高生产效率。

更高转速

范围：对于某些先进的单晶圆清洗机，其最高转速可达3000 RPM。

适用场景：这种高转速有助于在更短的时间内完成清洗过程，并提高清洗的均匀性和效率。但需要注意的是，过高的转速也可能对晶圆造成不必要的机械应力，因此需要根据具体情况进行选择。例如，当清洗较大尺寸的晶圆或对清洗均匀性要求较高时，可以适当提高转速；而对于较小尺寸或较薄的晶圆，则需要谨慎选择转速，以免对晶圆造成损伤。