半导体清洗程序有哪些

其实，在半导体清洗程序程主要包括湿法清洗和干法清洗两种工艺路线，每种方法都有其独特的特点和应用范围。那么，既然大家感兴趣，我们就从这最两种方法种展开来说说吧!

湿法清洗

溶液浸泡法：通过将晶圆浸泡在化学药液中，去除表面的颗粒、有机物和金属污染物。这种方法成本较低，但容易造成交叉污染。

旋转喷淋法：使用氮气和去离子水对晶圆进行旋转喷淋，通过改变喷出的水珠大小和调节N2大小来调整冲击力，有效去除大颗粒。

机械刷洗法：利用机械刷子对晶圆表面进行刷洗，主要用于去除机械抛光后的大颗粒和背面颗粒。虽然成本低，但对晶圆可能造成损伤。

超声波/兆声波清洗：结合化学溶剂和超声波或兆声波，清除晶圆表面附着的大块污染和颗粒。这种方法对精细晶圆图形结构有损伤的风险，且造价较高。

批式旋转喷淋法：使用高压喷淋去离子水或清洗液，通过旋转喷淋的方式进行清洗。虽然减少了化学药液的使用量，但存在交叉污染的风险。

干法清洗

等离子清洗：利用氧气等离子体对晶圆表面进行清洗，具有工艺简单、操作方便、表面干净无划伤的优点，但较难控制、造价较高。

束流清洗：使用高能束流状物质进行清洗，技术较新，清洗液消耗少，避免二次污染，但同样存在较难控制、造价较高的问题。

但是目前从主流来说，还是湿法清洗占重要组成部分。而且湿法清洗的选择比较多，大家也方便选择。