晶片清洗车间主要工序有哪些

晶圆是如今的一个重要要素，大家都知道。但是你们好奇过没，关于晶片晶圆清洗车间的？如果没有，今天我们来给大家解密一下，一起来看看到底晶片清洗车间主要工序有哪些。

目前来说，晶片清洗车间的主要工序包括预处理、清洗、漂洗以及干燥。这些步骤确保了晶圆表面的洁净度，为后续的半导体制造工艺提供了必要的条件。至于具体的行情信息，我们也给大家概括：

预处理

目的：预处理是为了去除晶圆表面的松散污染物和大颗粒。

方法：通常采用去离子水（DI Water）冲洗和超声波清洗，利用空化效应破坏颗粒与晶圆表面的结合力。

清洗

湿法清洗：使用化学溶剂或去离子水进行清洗，分为浸泡法和喷涂法两种。

干法清洗：不使用化学溶剂或去离子水，而是采用气体或等离子体进行清洗。

化学清洗：利用酸性过氧化氢和氢氧化铵溶液进行清洗，这是工业界仍在使用的主要方法。

漂洗

目的：去除晶圆表面的清洗液残留物，避免对晶圆性能的影响。

方法：使用纯水或去离子水进行漂洗，时间和温度根据晶圆表面材料和清洗液类型调整。

干燥

目的：迅速干燥晶圆，防止水痕或污染物重新附着。

方法：常用的干燥方法包括旋转甩干和氮气吹扫。