硅片清洗方法的分类

目前工业上采用的清洗方法分为干法清洗和湿法清洗两大类。干法清洗技术是指不采用溶液的清洗技术，主要是一种气相化学处理方法，通常需利用等离子体、紫外线、激光产生的激活能在低温下加强化学反应。在集成电路制备中使用的干法清洗技术有HF/H20气相清洗、紫外线-臭氧清洗、H2/Ar等离子清洗、热清洗等多种工艺。目前通常采用的干法清洗技术有等离子体清洗技术、气相清洗等。等离子体清洗属于全干法清洗，而HF/H2O气相法清洗属于半干法清洗。

   湿法清洗一直是硅片清洗技术的主流，它是利用溶剂、各种酸碱、氧化剂、表面活性剂和水等化学试剂，通过腐蚀、溶解、化学反应等作用将污垢转入溶液或用冷热液体冲洗等方法去除硅片表面污染物的。每次使用化学试剂后，都要用超纯净水进行清洗，以去除残留的化学试剂。湿法清洗中最具代表性的当属RCA清洗法。RCA清洗法可有效去除硅片上的颗粒、有机物及金属离子污染，一般亦成为标准清洗。