BOE腐蚀工艺介绍

BOE腐蚀工艺是一种在半导体制造中常用的工艺方法，用于去除硅片表面的氧化硼薄膜。

工艺原理

化学反应：BOE腐蚀工艺是通过将硅片浸泡在含有氢氟酸（HF）和水的溶液中，使氢氟酸与氧化硼发生化学反应，生成可溶解的硼酸。这样，氧化硼薄膜就会被逐渐腐蚀掉，暴露出下方的硅片表面。

工艺流程

准备工作：将硅片放置在特定的腐蚀槽中，并确保槽内无杂质。

溶液配制：根据具体要求，将适量的氢氟酸（HF）和水按比例混合，制备BOE腐蚀溶液。

浸泡腐蚀：将腐蚀槽中的硅片浸泡在BOE腐蚀溶液中，时间根据需要进行控制。

清洗处理：将腐蚀后的硅片取出，进行充分的清洗处理，以去除残留的腐蚀溶液和产生的硼酸。

干燥处理：将清洗后的硅片进行干燥处理，以保证表面干净无尘。

技术特征

温度控制：腐蚀液的温度通过槽体加热器加热至40±2℃，以确保反应的稳定性和效率。

气泡管理：通过将硅片在酸液中上下运动后减少腐蚀过程中依附在硅片上的气泡量，然后把片架整体提出液面1秒，通过压力的快速变化，使依附在硅片上的气泡易于破碎。

循环流动：腐蚀液在内槽与溢流槽之间循环流动，保持腐蚀过程中内槽内各位置腐蚀液的浓度一致，同时流动的腐蚀液能够将依附在硅片上的气泡完全或大部分去除。

BOE腐蚀工艺是半导体制造中不可或缺的一环，它通过精确的化学和物理过程，实现了对硅片表面氧化硼薄膜的有效去除。在选择和使用BOE腐蚀工艺时，应充分考虑腐蚀对象的特性、污染物的类型以及所需的清洗效率和质量，以确保达到最佳的清洗效果。