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晶圆清洗这个概念相信已经深入大家的脑中,但是晶圆怎么清洗,如何清洗,清洗到怎么样的程度呢?这个还是有需要注意与讲究的点。那么,今天来跟大家说的就是晶圆表面清洗关键参数。
晶圆表面清洗关键参数一览
晶圆表面清洗的关键参数主要包括化学品浓度、兆声功率、硅片转速和化学品温度等。
以下是对这些关键参数的详细介绍:
化学品浓度:在晶圆清洗过程中,使用的化学溶液的浓度直接影响清洗效果。例如,SC-1溶液(氨水/过氧化氢/去离子水的混合物)和SC-2溶液(盐酸/过氧化氢/去离子水的混合物)是常用的清洗剂,其配比和温度需要精确控制以达到最佳清洗效果。
兆声功率:兆声清洗是一种利用高频声波产生的微小气泡来去除晶圆表面颗粒物的清洗方法。兆声功率的大小会影响气泡的形成和破裂,从而影响清洗效率。
硅片转速:在兆声清洗过程中,硅晶圆的旋转速度也是一个重要参数。适当的转速可以确保兆声能量在晶圆表面的均匀分布,提高清洗效果。
化学品温度:化学清洗时的温度也是关键因素之一。不同的化学反应在不同的温度下有不同的反应速率,因此需要根据所使用的化学品和清洗目标来调整温度。