不同的晶圆清洗技术对比区别

不同的晶圆清洗技术在半导体制造过程中扮演着至关重要的角色，它们各有特点和应用场景。以下是对不同晶圆清洗技术的详细对比：

湿法清洗

溶液浸泡法：通过将晶圆浸入化学药液中进行清洗。这种方法适用于多种污染物，成本较低，但容易造成晶圆之间的交叉污染。

旋转喷淋法：使用氮气和去离子水喷射到旋转的晶圆上。这种方法对微米级的大颗粒去除效果好，成本低，但对晶圆可能造成损伤。

二流体清洗：结合SC-1溶液和去离子水等，通过高压喷淋去除晶圆表面的污染物。这种方法效率高，但对精细图形结构有损伤风险。

超声波/兆声波清洗：利用超声波产生的微小气泡破裂时释放的能量来去除晶圆表面的污染物。兆声波清洗对小颗粒去除效果优越，但造价较高。

批式旋转喷淋法：采用高压喷淋去离子水或清洗液，通过旋转喷头对晶圆进行清洗。这种方法可以减少化学药液的使用量，但存在交叉污染的风险。

干法清洗

等离子清洗：使用氧气等离子体进行清洗，工艺简单、操作方便，表面干净无划伤，但较难控制且造价较高。

气相清洗：利用化学试剂的气相等效物进行清洗，化学品消耗少，清洗效率高，但不能有效去除金属污染物。

束流清洗：使用高能束流状物质进行清洗，技术较新，清洗液消耗少，避免二次污染，但较难控制且造价较高。