苏州芯矽电子科技有限公司
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在湿法清洗中,为了减少化学品和DI水的消耗量,常采用IMEC清洗法,IMEC清洗法过程如表2。
第一步,去除有·机污染物,生成一薄层化学氧化物以便有效去除颗粒。通常采用硫酸混合物,但出于环保方面的考虑而采用臭氧化的DI水,既减少了化学品和DI水的消耗量又避免了硫酸浴后较困难的冲洗步骤。SC-2清洗机厂家介绍用臭氧化的DI水完·全彻底去除 HMDS(六甲基二硅胺烷)比较困难,因为在室温下,臭氧可在溶液中高浓度溶解,但反应速度较慢,导致HDMS不能完·全去除;较高温度下,反应速度加快,但臭氧的溶解浓度较低,同样影响HMDS的清·除效·果。因此为了较好的去除有·机物,必须使温度、浓度参数达到蕞优化。
第二步,去除氧化层,同时去除颗粒和金属氧化物。Cu,Ag等金属离子存在于HF溶液时会沉积到Si表面。其沉积过程是一个电化学过程,在光照条件下,铜的表面沉积速度加快。通常采用HF/HCL混合物在去除氧化层和颗粒的同时抑制金属离子的沉积。SC-2清洗机厂家介绍添加氯化物可抑制光照的影响,但少量的氯化物离子由于在Cu 2+/Cu+反应中的催化作用增加了Cu的沉积,而大量的氯化物离子添加后形成可溶性的高亚铜氯化物合成体抑制铜离子沉积。优化的HF/HCL混合物可有效预防溶液中金属外镀,增长溶液使用时间。
第三步,在硅表面产生亲水性,以保证干燥时不产生干燥斑点或水印。SC-2清洗机厂家介绍通常采用稀释HCL/O3 混合物,在低pH值下使硅表面产生亲水性,同时避免再发生金属污染,并且在蕞后冲洗过程中增加 HNO3的浓度可减少Ca表面污染。