硅片制绒技术

苏州芯矽电子科技硅片清洗机 

  现在生产中常采用化学腐蚀的方法对单晶硅片、多晶硅片原料进行绒面的制作（zui主要的一个因素是因为成本低，工艺简单，容易被企业所接受，其它方法如机械刻槽，反应离子刻蚀，光刻技术等成本都很高，作为工业化的生产难以接受）。

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    在单晶硅片中，常采用低浓度（1%~3%）的氢氧化钠溶液对单晶硅不同晶面的腐蚀速率的差异在硅片表面制作“金字塔”式的绒面结构，这是由于低浓度碱液在（100）晶面上的腐蚀速率远远大于其在（111）晶面上的腐蚀速率所引起的（zui大可超过100倍）。而由于碱液在对硅片表面的腐蚀过程中会释放出氢气，由于表面张力的作用，氢气会吸附于硅片表面难以快速脱离，这会严重影响绒面制作的顺利进行，所以必须添加有表面湿润作用的IPA（异丙醇）用以降.低氢气在硅片表面的吸附能力。而高浓度的氢氧化钠（25%左右）常用来对单晶硅表面进行去损伤处理，单晶硅的损伤层是硅片在切割过程中产生的。损伤的程度会左右绒面制作的效.果，所以必须去除，去除的量根据损伤层的大小，绒面制作时的刻蚀量决定。单晶制绒及去损伤都需要加热恒温（80~85℃）。碱液可以用氢氧化钾等代替（绒面制作效.果相差不大），IPA可以用乙醇代替（控制以及效.果比不上IPA，而IPA成本较高）。在能够保证绒面制作以及不引入杂质的前提下，亦可以采用其它的有表面湿润作用的物质代替IPA。

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