槽式清洗机氧化硅怎么清洗

槽式清洗机在清洗氧化硅时，通常会采用化学清洗法、超声波清洗法以及物理清洗法等多种方法。那么具体的详细方式什么呢？今天找个好机会，我们一起来给大家详细科普一下吧！

化学清洗法

RCA清洗法：这是最常用的化学清洗方法之一，包括SC1（Standard Clean-1）、SC2（Standard Clean-2）和SC3（Standard Clean-3）等清洗液。这些清洗液通过化学反应去除硅片表面的杂质和颗粒物。例如，SC1清洗液用于氧化和微蚀刻来底切和去除表面颗粒，同时可去除轻微有机污染物及部分金属化污染物。

稀释化学法：在RCA清洗的基础上，对SC1、SC2混合物进行稀释，可以有效从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物，同时减少化学品和DI水的消耗量。

IMEC清洗法：这种方法旨在减少化学品和DI水的消耗量，同时有效去除有机物、氧化层、颗粒和金属氧化物。

超声波清洗法

利用超声波的空化效应，产生微气泡并使其在声波的作用下保持振动。当声强达到一定程度时，气泡破裂产生瞬间高压，这种现象称为空化效应。在高压的连续冲击下，粘附在工件表面的污垢会被扯裂和剥离。这种方法特别适用于去除难以用常规方法清洗的微小颗粒和杂质。

物理清洗法

包括机械力或离心甩干等方式，用于去除硅片表面的颗粒物和液体残留。这种方法通常与化学清洗法结合使用，以达到更好的清洗效果。