清洗硅片一般步骤是什么

知道硅片需要清洗，那么使用清洗机一定是最佳选择。那么到底清洗硅片有哪些步骤，基本包括什么内容呢？似乎不少人还不太明白，或许是无法详细说清晰。为此，今天我们就必须来给大家讲讲，到底清洗硅片的一般步骤主要包括哪些。

清洗硅片一般步骤详解

初步去污：

使用有机溶剂（如丙酮、乙醇等）进行初步去污，以去除硅片表面的油脂、蜡、松香及部分金属等杂质。这一步通常采用浸泡或超声波辅助的方式进行。

化学清洗：

酸洗：常用的酸洗溶液包括浓硝酸、浓盐酸和稀盐酸等。酸洗可以去除硅表面的氧化物、金属杂质和有机污染物。将硅片浸入酸洗溶液中，时间通常在几分钟到几十分钟之间，然后取出并用去离子水冲洗。

碱洗：常用的碱洗溶液包括氢氧化钠和氢氧化铵等。碱洗可以去除硅表面的氧化物和有机污染物。同样需要将硅片浸入碱洗溶液中一段时间，然后用去离子水冲洗。

双氧水体系清洗：这是一种效果较好的清洗方法，环境污染小。一般方法是先用成分比为H2SO4:H2O2=5:1或4:1的酸性液清洗，再用成分比为H2O:H2O2:NH4OH=5:2:1或5:1:1或7:2:1的碱性清洗液清洗，最后使用成分比为H2O:H2O2:HCL=7:2:1或5:2:1的酸性清洗液。

RCA标准清洗法：这是一种典型的湿式化学清洗法，包括SPM（硫酸和双氧水混合液）、HF(DHF)（稀氢氟酸）、APM（SC-1，氨水/双氧水混合液）和HPM（SC-2，盐酸/双氧水混合液）等几种清洗液。这些清洗液分别用于去除不同类型的沾污。

物理清洗：

刷洗或擦洗：可除去颗粒污染和大多数粘在片子上的薄膜。

高压清洗：利用液体喷射片子表面，喷嘴的压力高达几百个大气压，靠喷射作用去除污染物。但需注意调节喷嘴到片子的距离、角度或加入防静电剂以避免静电作用。

超声波清洗：通过超声波震荡来去除硅片表面的杂质。这种方法对于清除硅片表面附着的大块污染和颗粒特别有效。

特殊处理：

对于某些特定类型的硅片或特殊要求，可能需要进行额外的处理步骤，如兆声波清洗、电解离子水清洗等。