半导体晶片清洗的三个基本原则

在半导体制造中晶片清洗是必须要的一个步骤，但是使用这一步的时候还是有需要一些细节要求，不是毫无章法的乱来。那么，在半导体行业老人嘴巴里就常说了，半导体晶片清洗需要遵守三个月原则。那么到底这三个原则是什么呢？

半导体晶片清洗的三个基本原则是不改变或损坏晶圆表面或基片、彻底去除化学杂质和颗粒杂质以及确保晶圆表面的洁净度。以下是具体介绍：

不改变或损坏晶圆表面或基片：要求在清洗过程中，不能对晶圆的表面或其基片造成任何物理或化学上的损伤。这意味着清洗过程需要精确控制，以避免引入新的缺陷或损害已有的表面特性。

彻底去除化学杂质和颗粒杂质：清洗的主要目的是去除所有可能影响晶圆性能的污染物，包括化学残留物和微小颗粒。这些杂质如果不被有效去除，可能会导致电路故障或性能下降。

确保晶圆表面的洁净度：除了去除可见的污染物外，还需要确保晶圆表面的微观洁净度。这通常涉及到使用高纯度的化学品和去离子水，以及精细的清洗技术，如超声波清洗，以去除难以观察到的微小颗粒和有机残留物。