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据武汉科技大学宣布,该校材料学部 “志同‘稻’合”学生团队采用低温镁热技术,成功从稻杆、稻壳中提取制作一种半导体材料——纳米碳化硅。
其纯度高达99.99%,颗粒尺寸可细达30nm,使稻壳附加值提升9倍以上。
众所周知,SiC作为一种重要的半导体材料,广泛应用于芯片制造和高端陶瓷等领域,全球对其需求量巨大。但要从稻杆、稻壳等农业副产物中大规模合成 SiC,并控制其尺寸形态并非易事。
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目前国内外工业常用碳热还原法制备,温度达1600-2200℃,能耗大且纯度低,转化工艺复杂。如何低温便捷的从农业副产物中大规模合成SiC就成了一个需要解决的问题。
从2021年起, “志同‘稻’合”团队负责人韦奕麒就投身于研究碳化硅,带领团队成员奔赴各地调研,发现农业副产物用传统焚烧处理严重污染环境,用做饲料和生物能源,收益小,附加值低,综合利用率不足50%。
经过对30多中农业副产物检测后发现,水稻中氧化硅含量高,粒度均匀。
团队通过实验和热力学计算,经过数百次尝试,优化工艺参数。将稻杆、稻壳中的天然纳米氧化硅与碳反应,转化为颗粒均匀的纳米碳化硅产品。
反应过程中,团队自研低温镁热技术和动态热量控制技术,突破了镁热过程因局部高温引起的纳米碳化硅烧结问题,保障颗粒尺寸细小均匀。
据悉,该团队曾在乡村开展试点工作,面向农户以高于市场100%的价格收购稻壳,并采用低温工艺生产高纯度纳米碳化硅产品,3年可为企业新增营业额1000万元以上。
当前项目已完成中试阶段,正在和企业开展战略合作进行产品试用。