槽式清洗机台的工艺有哪些

槽式清洗机台的工艺主要包括颗粒去除、刻蚀后清洗、预扩散清洗、金属离子去除和薄膜去除等步骤。

颗粒去除

目的：通过物理或化学方法，去除晶圆表面的微小颗粒物，这些颗粒可能来源于制程中的尘埃或化学反应产生的副产品。

方法：通常采用超声波清洗技术，利用高频声波在液体中产生的空化效应，将颗粒从晶圆表面震落并溶解于清洗液中。

刻蚀后清洗

目的：在晶圆经过刻蚀过程后，去除残留在晶圆表面的刻蚀剂及其反应产物，以防止后续工艺中出现污染或缺陷。

方法：使用特定的化学溶剂进行浸泡和冲洗，以溶解和清除刻蚀剂及反应生成的物质。

预扩散清洗

目的：在晶圆进行扩散处理前，彻底清洁晶圆表面，以保证扩散过程中的纯净度和均匀性。

方法：采用酸性或碱性溶液进行预处理，去除表面的有机和无机污染物。

金属离子去除

目的：去除晶圆表面可能存在的金属离子污染，这些金属离子会影响半导体器件的性能和可靠性。

方法：使用含有络合剂的清洗液，通过化学反应将金属离子转化为稳定的络合物，然后通过冲洗去除。

薄膜去除

目的：在某些制程中需要去除晶圆表面的特定薄膜层，为后续工艺做准备。

方法：根据薄膜材料的不同，选择合适的化学溶剂或等离子体刻蚀方法进行薄膜的去除。